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半导体分析

       本征半导体、锗化硅半导体和化合物半导体是现代电子与通信重要的构件。科学家和工程师们设计具备新特性的材料，开发新型生产工艺，产品质量。X射线法可以通过一种非破坏性方式来获得半导体材料的大量物理参数。由于波长与晶格间距相匹配，因此用X射线法可探测任何类型的半导体样品。

针对不同材料        

•  半导体钝化层的分析

•  外延层厚度测定

•  非接触式样品测量法

•  在室温、液氮和液氦温度下

•  透光、反射和光致发光模式

•  适用于宏观和微型尺寸样品

碳和氧的量化

集成电路等硅基器件在日常生活中发挥重要作用。此外，在化石燃料有限的背景下，硅基太阳能电池变得越来越重要。

大多数工业生产的硅通过不同工艺（譬如，提拉法）产生，这会导致间隙氧和替代碳的浓度较大。根据浓度以及应用，这些杂质可能会产生有害或有益的影响。

浅杂质的测定

除碳和氧的浓度外，浅能级杂质的含量是重要的，因为它们会显著影响材料的电气性能（譬如，电阻率等）。浅杂质可细分为V族元素磷、砷和锑（作为电子给体），以及III族元素硼、铝、镓和铟（会影响作为电子受体的硅）。